<?xml version="1.0"?>
<rdf:RDF xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"><rdf:Description rdf:about="https://dk.um.si/IzpisGradiva.php?id=53330"><dc:title>Schottkyjeva bariera</dc:title><dc:creator>Korošak,	Dean	(Avtor)
	</dc:creator><dc:creator>Cvikl,	Bruno	(Avtor)
	</dc:creator><dc:subject>vakuumska tehnika</dc:subject><dc:subject>površine</dc:subject><dc:subject>kovine</dc:subject><dc:subject>polprevodniki</dc:subject><dc:subject>tanke plasti</dc:subject><dc:subject>curek ioniziranih skupkov</dc:subject><dc:subject/><dc:description>V drugem delu prispevka opisujemo transportne lastnosti stika kovine in polprevodnika. V začetku je podan pregledni opis različnih mehanizmov prenosa naboja v idealni Schottkyjevi diodi. V nadaljevanju je opisan transport naboja v neidealnem stiku z vmesno kontrolno plastjo, ki nastane pri nanašanju z metodo CIS. Dodatni transport naboja v takšnih Schottkyjevih heterostrukturah lahko povzroči kontinuum elektronskih stanj, ki se pojavi na meji med urejenim in neurejenim delom polprevodnika. Opisan je vpliv takšnega transporta naboja na tokovno karakteristiko diode.</dc:description><dc:publisher>Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije</dc:publisher><dc:date>1998</dc:date><dc:date>2015-07-10 20:06:21</dc:date><dc:type>Delo ni kategorizirano</dc:type><dc:identifier>53330</dc:identifier><dc:language>sl</dc:language></rdf:Description></rdf:RDF>