Schottkyjeva barieraKorošak, Dean (Avtor) Cvikl, Bruno (Avtor) vakuumska tehnikapovršinekovinepolprevodnikitanke plasticurek ioniziranih skupkovV drugem delu prispevka opisujemo transportne lastnosti stika kovine in polprevodnika. V začetku je podan pregledni opis različnih mehanizmov prenosa naboja v idealni Schottkyjevi diodi. V nadaljevanju je opisan transport naboja v neidealnem stiku z vmesno kontrolno plastjo, ki nastane pri nanašanju z metodo CIS. Dodatni transport naboja v takšnih Schottkyjevih heterostrukturah lahko povzroči kontinuum elektronskih stanj, ki se pojavi na meji med urejenim in neurejenim delom polprevodnika. Opisan je vpliv takšnega transporta naboja na tokovno karakteristiko diode.Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije19982015-07-10 20:06:21Delo ni kategorizirano53330UDK: 539.2OceCobissID: 16059650COBISS_ID: 4173078ISSN pri članku: 0351-9716NUK URN: URN:SI:UM:DK:YPTCRDQOsl