20.500.12556/DKUM-53330 Schottkyjeva bariera moderni pogledi na star problem Schottky barrier - modern views on an old problem (Part II) V drugem delu prispevka opisujemo transportne lastnosti stika kovine in polprevodnika. V začetku je podan pregledni opis različnih mehanizmov prenosa naboja v idealni Schottkyjevi diodi. V nadaljevanju je opisan transport naboja v neidealnem stiku z vmesno kontrolno plastjo, ki nastane pri nanašanju z metodo CIS. Dodatni transport naboja v takšnih Schottkyjevih heterostrukturah lahko povzroči kontinuum elektronskih stanj, ki se pojavi na meji med urejenim in neurejenim delom polprevodnika. Opisan je vpliv takšnega transporta naboja na tokovno karakteristiko diode. In the second part of the paper the transport mechanisms of the metal-semiconductor contact are discussed. An overview of the basic transport mechanism contributing to the current density through the ideal Schottky structure is given. An existance of possible additional charge transport mechanism due to the presence of the disordered interfacial control layer in the ICB deposited Schottky heterostrutures is further discussed. The influence of such a transport mechanism on the current-voltage characteristic is described. vakuumska tehnika površine kovine polprevodniki tanke plasti curek ioniziranih skupkov vacuum techniques surfaces metals semiconductors thin layers CIS true false false Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije Slovenski jezik Angleški jezik Delo ni kategorizirano 2015-07-10 20:06:21 2015-07-10 20:06:21 2022-06-03 03:09:26 2019-07-11 08:07:23 1998 0 0 str. 13-16 št. 3 18 1998 0000-00-00 NiDoloceno NiDoloceno NiDoloceno 0000-00-00 0000-00-00 0000-00-00 539.2 16059650 4173078 0351-9716 URN:SI:UM:DK:YPTCRDQO http://www.dlib.si/details/URN:NBN:SI:doc-8OIN0NUF 1 https://dk.um.si/Dokument.php?lang=slv&id=77890 Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo 0 0 0