20.500.12556/DKUM-53334 Schottkyjeva bariera moderni pogledi na star problem Schottky barrier - modern views on an old problem (Part I) The description of the metal semiconductor contact in the framework of the general model incorporating the interfacial control layer between the metal and the ordered semiconductor is given. Special attention is given to the iCB Schottky structures for nonzero acceleration voltage featuring the disordered interfacial control layer characterized by the metal atoms incorporated into the semiconductor lattice and the DIGS continuum. The expression for the Schottky barrier height variation in ICB structures is given. V prispevku je podan opis stika med kovino in polprevodnikom v okviru splošnega modela stika z vmesno kontrolno plastjo. Posebej so poudarjene lastnosti stika, narejenega po metodi CIS, kjer pride do nastanka neurejene kontrolne plasti, karakterizirane s kovinskimi atomi, vgrajenimi v kristalno mrežo polprevodnika in kontinuumom lokaliziranih elektronskih stanj, induciranih z neredom v kontrolni plasti. Podan je izraz za variacijo višine Schottkyjeve bariere v CIS-kontaktih. površine kovine polprevodniki tanke plasti true false false Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije Slovenski jezik Angleški jezik Delo ni kategorizirano 2015-07-10 20:07:20 2015-07-10 20:07:20 2022-06-03 03:09:27 2019-07-11 08:07:28 1998 0 0 str. 17-20 št. 2 let. 18 1998 0000-00-00 NiDoloceno NiDoloceno NiDoloceno 0000-00-00 0000-00-00 0000-00-00 539.2 16059650 13500967 0351-9716 URN:SI:UM:DK:8ATDDOR8 http://www.dlib.si/details/URN:NBN:SI:doc-I5FZNJ1M 1 https://dk.um.si/Dokument.php?lang=slv&id=77894 Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo 0 0 0