| | SLO | ENG | Piškotki in zasebnost

Večja pisava | Manjša pisava

Izpis gradiva Pomoč

Naslov:Field induced memory effects in random nematics
Avtorji:ID Ranjkesh Siahkal, Amid (Avtor)
ID Ambrožič, Milan (Avtor)
ID Kralj, Samo (Avtor)
ID Sluckin, T. J. (Avtor)
Datoteke:.pdf Advances_in_Condensed_Matter_Physics_2014_Ranjkesh_et_al._Field_Induced_Memory_Effects_in_Random_Nematics.pdf (2,15 MB)
MD5: 9D5D284232DEC297E806DE92C04A58D0
 
URL http://www.hindawi.com/journals/acmp/2014/423693/
 
Jezik:Angleški jezik
Vrsta gradiva:Znanstveno delo
Tipologija:1.01 - Izvirni znanstveni članek
Organizacija:FNM - Fakulteta za naravoslovje in matematiko
Opis:We studied numerically external field induced memory effects in randomly perturbed nematic liquid crystals. Random anisotropy nematic-type lattice model was used. The impurities imposing orientational disorder were randomly spatially distributed with the concentration p below the percolation threshold. Simulations were carried for finite temperatures, where we varied p, interaction strength between LC molecules, and impurities and external field B. In the {B, T} plane we determined lines separating short range—quasi long range and quasi long range—long range order. Furthermore, crossover regime separating external field and random field dominated regime was estimated. We calculated remanent nematic ordering in samples at B = 0 as a function of the previously experienced external field strength B.
Ključne besede:liquid crystal, topological defects, random disorder
Status publikacije:Objavljeno
Verzija publikacije:Objavljena publikacija
Poslano v recenzijo:04.08.2014
Datum sprejetja članka:15.10.2014
Datum objave:30.11.2014
Založnik:Wiley
Leto izida:2014
Št. strani:str. 1-10
Številčenje:Letn. 2014
PID:20.500.12556/DKUM-66176 Novo okno
ISSN:1687-8108
UDK:532.783
COBISS.SI-ID:21004552 Novo okno
DOI:10.1155/2014/423693 Novo okno
ISSN pri članku:1687-8108
NUK URN:URN:SI:UM:DK:GNY9AB8O
Datum objave v DKUM:14.06.2017
Število ogledov:1482
Število prenosov:374
Metapodatki:XML DC-XML DC-RDF
Področja:Ostalo
:
Kopiraj citat
  
Skupna ocena:(0 glasov)
Vaša ocena:Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.
Objavi na:Bookmark and Share



Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:Advances in Condensed Matter Physics
Skrajšan naslov:Adv. Condens. Matter Phys.
Založnik:Hindawi Publishing Corporation
ISSN:1687-8108
COBISS.SI-ID:23812647 Novo okno

Licence

Licenca:CC BY 4.0, Creative Commons Priznanje avtorstva 4.0 Mednarodna
Povezava:http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/deed.sl
Opis:To je standardna licenca Creative Commons, ki daje uporabnikom največ možnosti za nadaljnjo uporabo dela, pri čemer morajo navesti avtorja.
Začetek licenciranja:14.06.2017

Sekundarni jezik

Jezik:Slovenski jezik
Ključne besede:tekoči kristali, topološki defekti, naključni nered


Komentarji

Dodaj komentar

Za komentiranje se morate prijaviti.

Komentarji (0)
0 - 0 / 0
 
Ni komentarjev!

Nazaj
Logotipi partnerjev Univerza v Mariboru Univerza v Ljubljani Univerza na Primorskem Univerza v Novi Gorici